ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor ٫ MOSFET ) است. معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. در ترانزیستور اثرِ میدان ( FET ) چنان که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل میشود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET ، Insulated Gate FET) نیز گفته میشود.
قابلیت ها
کانال N ماکزمم ولتاژ درین سورس ۵۰۰ ولت ماکزیمم جریان درین۱۴ آمپر پکیج TO۲۴۷ توان ماکزیمم ۱۹۰ وات
سایر توضیحات
جهت اطلاع دقیقتر از مشخصات، لطفا دیتاشیت های تخصصی قطعه را بررسی نمایید.
نقد و بررسی‌ها
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.