ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor ٫ MOSFET ) است. معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. در ترانزیستور اثرِ میدان ( FET ) چنان که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل میشود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET ، Insulated Gate FET) نیز گفته میشود.
قابلیت ها
مقاومت درین سورس ( روشن ) : ۸ میلی اهم ولتاژ درین – سورس : ۵۵ ولت ولتاژ گیت سورس : ۲۰ ولت جریان درین : ۱۱۰ آمپر جریان درین لحظه ای : ۳۹۰ آمپر
ویژگی‌های قطعات الکترونیکی
آموزشی
صنعتی.
نقد و بررسی‌ها
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.